Firmy Toshiba Corporation i SanDisk
® Corporation uświetniły dziś tradycyjną ceremonią i przyjęciem otwarcie Fab 4, najnowszego wydziału produkcyjnego
300-milimetrowych wafli krzemowych w należących do
Toshiby zakładach
Yokkaichi w prefekturze Mie w Japonii.
Ze względu na rosnący popyt na pamięć
NAND flash używaną w szerokiej gamie urządzeń cyfrowych, takich jak odtwarzacze multimedialne, telefony komórkowe, komputery PC i karty pamięci, w sierpniu 2006 roku
Toshiba rozpoczęła budowę wydziału produkcyjnego Fab 4.
Fab 4 ma rozpocząć masową produkcję w grudniu 2007 roku i osiągnąć pełną zdolność produkcyjną (80.000 wafli miesięcznie) w drugiej połowie roku kalendarzowego 2008 r. Wydział dysponuje miejscem do przyszłego rozszerzenia produkcji, a dalsze inwestycje mogą zwiększyć zdolność produkcyjną do 210.000 wafli miesięcznie w reakcji na przewidywany wzrost popytu rynkowego. W Fab 4 będzie początkowo stosowany najnowocześniejszy, 56-nanometrowy (nm) proces technologiczny, a od marca 2008 roku planowane jest stopniowe przejście na technologię 43 nm.
„
Toshiba i nasz partner SanDisk z wielkim zadowoleniem świętują ukończenie nowego wydziału produkcyjnego,” - powiedział Shozo Saito, starszy wiceprezes Toshiba Corporation oraz prezes i dyrektor generalny Toshiba Semiconductor Company. – „
Fab 4 zaoferuje światowej klasy możliwości wytwórcze, zarówno pod względem skali, jak i produktywności. Pomoże nam umocnić się na pozycji lidera na szybko rosnącym, globalnym rynku pamięci NAND o wyższej gęstości i będzie potężnym motorem wzrostu dla obu firm.”
„
Fab 4 to świadectwo sukcesu partnerstwa i długotrwałej współpracy między firmami Toshiba i SanDisk,” – powiedział dr Eli Harari, główny dyrektor i prezes SanDisk Corporation. – „
Rozmiar i skala technologiczna wydziału Fab 4 odzwierciedlają nasz optymizm i nadzieje na przyszłość. Wierzymy, że dzięki niemu będziemy mogli w nadchodzących latach zaspokajać rosnący popyt naszych globalnych klientów na pamięć flash.”
Wydział Fab 4 zaprojektowano tak, aby zminimalizować wpływ katastrof naturalnych na jego działalność. Budynek zbudowano w oparciu o najnowszą strukturę pochłaniającą wstrząsy tektoniczne, która zmniejsza siłę drgań nawet o dwie trzecie. Zastosowano w nim również wielokrotną kompensację zasilania (MPC), wyzwalaną natychmiast w przypadku nagłej, chwilowej przerwy w dopływie prądu, na przykład spowodowanej uderzeniem pioruna.
Toshiba sfinansowała budynek wydziału Fab 4, a Flash Alliance Ltd., spółka
Toshiby i
SanDiska założona w czerwcu 2006 roku (należąca w 50,1% do
Toshiby i w 49,9% do
SanDiska), finansuje sprzęt produkcyjny obecnie instalowany w fabryce.
Nowy wydział produkcyjny ma pozwolić
Toshibie i
SanDiskowi wdrożyć najnowsze osiągnięcia w procesie wytwórczym oraz technologii MLC (multi-level cell), zwiększając konkurencyjność obu firm.
Uwaga: 1 nanometr = jedna miliardowa część metra
Wydział produkcyjny Fab 4 w zakładach Yokkaichi — podstawowe informacje
- Struktura budynku: beton na stalowej ramie, pięć pięter (dwa piętra typu clean room z kontrolowanymi warunkami środowiskowymi)
- Powierzchnia budynku: ok. 35.500 m2
- Łączna powierzchnia pięter: ok. 181.000 m2
- Początek budowy: sierpień 2006 r.
- Ukończenie budynku: lipiec 2007 r.
- Planowany początek masowej produkcji: grudzień 2007 r.
Zakłady Yokkaichi — podstawowe informacje
- Położenie: 800 Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi-shi, prefektura Mie, Japonia
- Założone: 1992 r.
- Dyrektor naczelny: Noriyoshi Tozawa
- Pracownicy: ok. 3200
- Łączny obszar zakładów: ok. 312.300 m2
- Łączna powierzchnia: ok. 460.000 m2 (razem z Fab 4)
Flash Alliance Ltd. — podstawowe informacje
- Położenie: 800 Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi-shi, prefektura Mie, Japonia
- Założona: czerwiec 2006 r.
- Kapitalizacja: 3 miliony jenów
- Udziały: Toshiba: 50,1%, SanDisk: 49,9%
Największa na świecie fabryka NAND
